Data Sheet
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? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Super Fast Recovery Diode
RFUS20TM6S
?Series
?Dimensions(Unit : mm)
?Structure
Ultra Fast Recovery
?Applications
General rectification
?Features
1)Cathode Common Single type.(TO-220)
2)Ultra High switching speed
?Construction
Silicon epitaxial planar
?Absolute maximum ratings(Tc=25?C)
Parameter Conditions LimitsSymbol Unit
Repetitive peak reverse voltage DutyVRM
≦0.5
V
Reverse voltage Direct voltage 600VR
V
Average rectified forward current Io
60Hz half sin wave, Resistance load,
Tc=50?C
A
Tj
°C
Tstg
°C
?Electrical characteristics(Tj=25?C)
Symbol Min. Max. UnitConditions
Typ.
Forward voltage
VF
2.8 V
IR
10
μA
trr
35 ns
Thermal Resistance Rth(j-c)
1.8
?C / W
600
A
60Hz half sin wave, Non-repetitive
20
Storage temperature
?55 to ?150
Junction temperature
150
one cycle peak value, Tj=25?C
VR=600V
IF=0.5A,IR=1A,Irr=0.25×IR
Reverse current
0.05
junction to case
Reverse recovery time
23
IF=20A
Parameter
2.3
IFSM
100
Forward current surge peak
(1) (2) (3)
(1) (2) (3)
+0.3 -0.1
+0.3 -0.1
+0.2-0.1
+0.1-0.05
+0.4
-0.2
1/3
2011.06 - Rev.A
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